1、氮气-N2，纯度要求>99．999%，用作规范气体、在线外表规范气、校正气、零点气、平衡气；用于半导体器材制备工艺中外延、分散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻，退火搭接、烧结等工序；电器、食物包装，化学等工业也要用氮气。
2、氧气-O2,>99．995％，用作规范气体、在线外表规范气体、校正气、零点气；还可用于医疗气，在半导体器材制备工艺中用于热氧化，分散、化学气相淀积、等离子干刻等工序，以及用于光导纤维的制备。
3、氩气-Ar，>99．999％，用作规范气体、零点气、平衡气；甩于半导体器材制备工艺中晶体生长、热氧化、外延，分散、氮化，喷发，等离子干刻、载流、退火搭接，烧结等工序；特种混合气与工业混合气也使用氩。
4、氢气-H2,>99.999%，用作规范气体、零点气、平衡气、校正气、在线外表规范气;在半导体器材制备工艺中用于晶体生长，热氧化，外延、分散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工序；在化学，冶金等工业中也有用。
5、氦气-He，>99.999%，用作规范气体、零点气平衡气，校正气、医疗气、用于半导体器材错备工艺中晶体生长，等离子干刻载流等工序；别的，特种混合气与工业混台气也常用．
6、氯气-Cl2，>99.86％，用作规范气体，校正气,用于半导体器材制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序；别的，用于水净化，纸浆与纺织品的漂白、工业废品、污水、游泳池的卫生处理，制备许多化学产品。
7、氟气-F2，>98%用于半导体器材制备工艺中等离子干刻；别的，用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等。
8、氨气-NH3，>99.995％，用作规范气体、校正气、在线外表规范气；用于半导体器材制备工艺中氮化工序，别的，用于制冷、化肥，石油、采矿、橡胶等工业。
9、氯化氢-HCI，>99.995%，用作规范气体,用于半导休器材制备工艺中外延、热氧化、分散等工序；别的，用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、出产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用。
10、一氧化氮-N0，>99％，用作规范气体，校正气；用于半导体器材制备工艺中化学气相淀积工序，制备监控大气污染的规范混合气。
11、二氧化碳-CO2，>99.99%，用作规范气体、在线外表规范气体，校正气;用于半导体器材制备工艺中氧化，载流工序，别的，还用于特种混合气、发电，气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食物冷冻、金属冷处理，饮料充气，烟雾喷发剂，食物储存维护气等。
12、氧化亚氮-N2O，(即笑气)，>99.999%用作规范气体、医疗气;用于半导体器材制备工艺中化学气相淀积、医用麻醉剂、烟雾喷发剂、真空和带压检漏，红外光谱剖析仪等也用。
13、硫化氢-H2S，>99.999％，用作规范气体，校正气，用于半导体器材制备工艺中等离子干刻，化学工业中用于制备硫化物，如硫化钠，硫化有机物；用作溶剂；实验定量剖析用。
14、四氯化碳-CCl4,>99.99％，用作规范气体,用于半导体器材制备工艺中外延，化学气相淀积等工序；别的用作溶剂，有机物的氯化剂，香料的浸出剂，纤维的脱脂剂、灭火剂、剖析试剂、制备氯仿和药物等。
15、氰化氢-HCN，>99.9%，用于半导体器材制备工艺中等离子干刻工序；制备氢氰酸溶液；金属氰化物、氰氯化物；也用于制备丙烯腈和丙烯衍生物的组成中间体。
16、碳酰氟-COF2，>99.99%，用于半导体器材制备工艺中等离子干刻工序；别的；用作氟化剂。
17．碳酰硫-COS，>99.99%，用作校正气;用于半导体器材制备工艺中离子注入工序;也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸盐和噻唑的组成。
18．碘化氢-HI，>99.95%，用于半导体器材制备工艺中离子注入工序;还用于氢碘酸溶液制备。
19．溴化氢-HBr，>99.9％，用于半导体制备工艺中等离子干刻工序；用作还原剂，制备有机及无机溴化合物。
2O，硅烷-SiH4，>99.999％，电阻率>100Ω/cm2，用于半导体器材制备工艺中外延、化学气相淀积等工序。
21．乙硅烷-Si2H6，>99.9%，用于半导体制备工艺中化学气相淀积
22．磷烷-PH3,>99.999%，用于半导体器材制备工艺中外延、分散、化学气
相淀积、离子注入等工序：磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体，可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。
23．砷烷-AsH3，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中外延、扩敷、化学气相淀积、离子注入等工序。
24．硼烷-B2H6，>99.995%，用于半导体器材制备工艺中外延、分散、氧化等工序；用于有些化学工业组成过程：如氢硼化反应(即生成醇类)，有机功用的阑珊，制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
25．锗烷-GeH4，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中外延、离子注入工序。
26．锑烷-SbH3，>99.999％，用于半导体器材制备工艺中外延、离子注入工序。
27．四氧甲硅烷-si(OC2H5)4，>99.99‰用于半导体器材制备工艺中化学气相淀积工序。
28．乙烷-C2H6，>99.99％，用作规范气、校正气、在线外表规范气;用于半导体器材制备工艺中等离子干刻工序;还用于冶金工业的热处理，化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。
29．丙烷-C3H8，>99.99%，用作规范气、校正气、在线外表规范气;用于半导体器材制备工艺中等离子干刻工序;别的，用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的质料。
30．硒化氢-H2Se，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中分散、离子注入工序．
31．碲化氧-H2Te，>99.999％，用于半导体器材制备工艺中分散、离子注入工序.
32．二氯二氢硅-siH2cl2，>99.999％，用于半导体器材制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
33．三氯氢硅-siHCl3，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
34．二甲基碲-(CH3)2Te，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中分散．离子注入工序。
35．二乙基碲-(C2H5)2Te，>99.999%，用处同(34)。
36．二甲基锌-(CH6)2Zn，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中化学气相淀积工序。
37．二乙基锌->99.999%，用处同(36)。
38．三氯化磷-Pcl3，>99.99%，用于半导体器材制备工艺中分散，锗的外延生长和离子注入工艺-PCI是有机物的杰出氯化剂，也用于含磷有机物的组成。
39．三氯化砷-AsCl3，>99.99％，用于半导体器材制备工艺中的外延和离子注入。
40．三氯化硼-Bcl3，>99.99％，用于等离子干刻、分散;作硼载气及一些有机反应的催化剂|精粹镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除去氮、碳，氧化合物。
41、四氯化硅-SiCl4，>99.999%，用于半导体器材制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
42、四氯化锡-SnCl4，>99.9%，用于外延，离子注入。
43、四氯化锗-Gecl4，>99.999％，用于离子注入。
44、四氯化钛-TiCl4，>99.99％，用于等离子干刻。
45、五氯化磷-PCl5，>99.99％，用于外延、离子注入。
46、五氯化锑-SbCl6，>99.99％，用于外延、离子注入。
47、六氯化钼-MoCl6，>99.9%，用于化学气相淀积。
48、三溴化硼-BBr3，>99.99%，用于半导体器材制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。
49、三溴化磷-PBr3，>99.99％，用于外延、离子注入。
50、磷酰氯-POCl3，>99.999％，用于分散工序。
51、三氟化硼-BF3，>99.99％，用于离子注入，别的，可作载气、某些有机反应的催化剂，精粹镁，锌、铝、铜合金时从熔化金属中除去氮，氧、碳化物。
52、三氟化磷-PF3，>99%，用于外延、离子注入工序；别的用作氟化剂。
53、三氟化砷-AsF3，>99.9%，用处同(12）
54、二氟化氙-xeF2，>99.9%，用于外延、离子注入工序，用于固定模具氙的考察及原子反应堆排放废气中氙的测定。
55、三氟氯甲烷-(R一13)，99.995%，用于等离子干刻工序；冷冻剂、空调均可用。
56、三氟甲烷-CHF3，(R一23)，>99.999％，用于等离子干刻工序；低温冷冻剂。
57、三氟化氮-NF3，>99.99％，用于等离子干刻工序|火箭推进剂、氟化剂。
58、三氟溴甲烷-CBrF3，(R13B1)，>99.99%，用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂。
59、三氟化硼，>99.99%，用于离子注入工序；还用于制备光导纤维。
60、四氟化碳-CF4，(R一14)，>99.99%，用于等离子干刻工序；在很低温度下作为低温流体用，也用于中性及惰性气体。
